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据中国台湾地区内存厂商透露的消息称，近日均收到三星和海力士半导体(Hynix Semiconductor)的通告，称四月份NAND闪存价格将会进一步上调。据称，除了受NAND闪存近日需求旺盛的影响外，东芝近日为苹果供货以及三星正在尝试使用50nm制造工艺也是重要的原因。 近期来，三星和东芝的股价均保持低位。三星从1月初开始试生产50nm的16Gbit MLC NAND闪存，并表示将尽快将制造工艺由原70nm提升到50nm。业界人士指出，由于三星现在开始试使用50nm技术生产内存芯片，因此短期造成供不应求的现象也是正常的，这种情况随着50nm工艺的成熟也会逐渐好转。
三星曾表示，将在2007年第一季度开始生产MLC内存，同时在第二季度开始生产50nm或60nm工艺的8Gbit和16Gbit高密度内存芯片。而在MLC内存上一直占据优势的东芝则表示已经为苹果公司生产NAND闪存超过一个季度。台湾业内人士指出近日内存价格的上升皆是由上述两间公司而起。
当前NAND闪存的缺货水平保持在20－30％左右，同时在短期内不会有明显改善。按照价格走势，三星从去年12月起就开始增加DRAM的产能。因此，考虑产能调整已经进行了2－3个月，NAND闪存的供给在4月份会出现紧张。
由于预测到会出现缺货现象，同时三星和海力士的内存合同价格要比现货市场价格低很多，因此这两家厂商均计划在4月份提高NAND闪存售价。在三月下旬，三星和海力士8Gbit的NAND闪存合同价格分别为6美金和5.5美金，该价格比现货价格低20－30％。而8Gbit的SLC和MLC NAND闪存价格则分别为8.27美金和8.07美金。
受到NAND闪存供应紧张的影响，A-Data Technology公司向三星预支了大量定购金，以保证稳定的供给。同时，据称，A-Data支付给三星的这笔费用将从新发行的股票中支出。A-Data公司在3月13日表示将发行9.9亿新股和10亿新台币的债券。
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